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成功了!复旦大学晶体管技术突破!不再受制于EUV!

[编辑:永太净化设备经营部] [时间:2024-05-17]

  美国的技术条件限制,使得 EUV光刻机无法在中国销售,因此目前的国内的芯片工艺只能在14 nm左右,而7 nm以下的制程,则需要使用 UV光刻技术,才能保证更高的精确度。

  这个技术的核心一直掌握在欧美手中,由于制造技术相对复杂,因此对我国的产品形成了严重的垄断和限制,而在当前的技术水平下,要制造出一款高性能的芯片,必然需要使用 CFET技术。

  复旦团队在传统的硅基材料上,运用了一种新型的二维原子结构,在 CFET方面取得了突破性的进展,使得我国的半导体设备,真正的摆脱了 EUV技术的桎梏!

  在信息时代,芯片的重要性与日俱增,一枚芯片就能决定一个国家的科技水准,所以近年来,芯片产业的发展,必然只要在芯片产业上拥有自己的技术。

  台积电是世界上最大的芯片制造商, ASML公司的 EUV光刻机就是他们的功臣,台积电的及时提供技术支援,让他们不断更新光刻机,尽管他们的技术已经达到了他们的标准,但是他们所遇到的问题也会越来越多。

  而随着工艺水平的提升,制芯成本也在逐渐提升,3 nm工艺的研发成本已经达到了惊人的5.811亿美元,相比于28 nm芯片,整整提升了10倍以上,但不管技术多么精湛,技术上的每次提升都是有限的,就连苹果的库克也对芯片非常关心。

  台积电的情况也差不多,价格一路飙升,28 nm晶圆的价格才3000美元,3 nm的价格就已经超过了2万美元,3 nm的价格也被苹果、英特尔等公司给否决了,因此目前急需新的技术来降低成本。

  目前芯片堆叠、芯片芯子等,都是芯片厂商开发出来的一项技术,利用先进的封装技术,将芯片的性能进一步提升,将不同的芯片进行装配,既能保证芯片的性能,又能提高芯片的生产力,解开了当前的燃眉之急。

  而中国,因为“弯道超车”,在技术上取得了突破性进展,但因为缺乏 EUV光刻机等关键技术,使得7 nm以下的芯片难以量产,因此只能采用新技术,提升芯片性能,弥补工艺上的不足,却没想到复旦会走“捷径”。

  复旦大学以芯片为基础,研制出了一种能够大幅度提高密度的三维叠层技术,CFET将硅基二次元异质堆叠晶体管技术引入到了传统的硅片制造中,其整体密度是同类器件的两倍以上,其优异的性能可见一斑。

  与硅基材料相比,它在原子层次上的精确度更高,因此在狭小的空间中可以很好地控制短程的能力,三种二硫化钼(MoS2)被添加到传统的工艺中,经过一系列的反应,获得了一种非均质 CFET。

  而二硫化钼技术与其相容性良好,不仅能避免材料的老化,而且还能降造难度,若能推广应用,将会极大地降低芯片成本。

  最关键的一点,就是降低了对技术的依赖性,如果性能能够达到目前的需求,也许就不会再有 EUV光刻机的存在, ASML的垄断,也会随之土崩瓦解。

  只要 CEFT技术能够普及,28 nm工艺就能满足现在市场需求,从而节约出时间进行下一代技术的研发。